casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-16CTQ100-1PBF
codice articolo del costruttore | VS-16CTQ100-1PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-16CTQ100-1PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-16CTQ100-1PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 550µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-16CTQ100-1PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-16CTQ100-1PBF-FT |
VI20200G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-2TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ208B
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C9
Intel
5SGXEA5N1F45C1N
Intel
XC7VX415T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-4CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2LG
Intel
10AX057K1F35E1SG
Intel