casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-16CTQ100G-1PBF
codice articolo del costruttore | VS-16CTQ100G-1PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-16CTQ100G-1PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-16CTQ100G-1PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 280µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-16CTQ100G-1PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-16CTQ100G-1PBF-FT |
VI20202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation