casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-6ESU06-M3/86A
codice articolo del costruttore | VS-6ESU06-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-VS-6ESU06-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-6ESU06-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 58ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-6ESU06-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-6ESU06-M3/86A-FT |
SD103BWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103CWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103CWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103CWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103CWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel