casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SD103BWS-HG3-18
codice articolo del costruttore | SD103BWS-HG3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-SD103BWS-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SD103BWS-HG3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 350mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD103BWS-HG3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SD103BWS-HG3-18-FT |
1N4448WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101CWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103CWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel