casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SD103BWS-HE3-18
codice articolo del costruttore | SD103BWS-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-SD103BWS-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SD103BWS-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 350mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD103BWS-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SD103BWS-HE3-18-FT |
BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101CWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103CWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel