casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-6ESH01HM3/87A
codice articolo del costruttore | VS-6ESH01HM3/87A |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-6ESH01HM3/87A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-6ESH01HM3/87A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 940mV @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 22ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-6ESH01HM3/87A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-6ESH01HM3/87A-FT |
V12P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P45-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel