casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-2EJH02-M3/6B
codice articolo del costruttore | VS-2EJH02-M3/6B |
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Numero di parte futuro | FT-VS-2EJH02-M3/6B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-2EJH02-M3/6B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-2EJH02-M3/6B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-2EJH02-M3/6B-FT |
VF30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF10150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation