casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VF30100SG-E3/4W
codice articolo del costruttore | VF30100SG-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VF30100SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VF30100SG-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 350µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF30100SG-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VF30100SG-E3/4W-FT |
VS-8ETH06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU0805FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF02FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF04FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF06FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel