casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VF20100SG-E3/4W
codice articolo del costruttore | VF20100SG-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VF20100SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VF20100SG-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 350µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF20100SG-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VF20100SG-E3/4W-FT |
VS-10ETF02FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF04FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF06FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF02FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF04FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF06FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel