casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VF20100SG-E3/4W
codice articolo del costruttore | VF20100SG-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VF20100SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VF20100SG-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 350µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF20100SG-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VF20100SG-E3/4W-FT |
VS-10ETF02FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF04FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF06FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF02FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF04FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF06FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel