casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-2EJH01HM3/6B
codice articolo del costruttore | VS-2EJH01HM3/6B |
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Numero di parte futuro | FT-VS-2EJH01HM3/6B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-2EJH01HM3/6B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-2EJH01HM3/6B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-2EJH01HM3/6B-FT |
VF30100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF10150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel