casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-242NQ030PBF
codice articolo del costruttore | VS-242NQ030PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-242NQ030PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-242NQ030PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 240A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 540mV @ 240A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 14800pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-67 HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-67 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-242NQ030PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-242NQ030PBF-FT |
BYM12-100HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-300HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-300HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-400HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-400HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-50HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel