casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM12-300HE3_A/I
codice articolo del costruttore | BYM12-300HE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-BYM12-300HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
BYM12-300HE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 14pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM12-300HE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM12-300HE3_A/I-FT |
BYG20GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel