casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM12-400HE3_A/H
codice articolo del costruttore | BYM12-400HE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-BYM12-400HE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
BYM12-400HE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 14pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM12-400HE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM12-400HE3_A/H-FT |
BYG20GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel