casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-20TQ035STRRPBF
codice articolo del costruttore | VS-20TQ035STRRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-20TQ035STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-20TQ035STRRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.7mA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20TQ035STRRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-20TQ035STRRPBF-FT |
UGB8GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8HCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8JCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation