casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UGB8JTHE3/81
codice articolo del costruttore | UGB8JTHE3/81 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-UGB8JTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB8JTHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB8JTHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGB8JTHE3/81-FT |
MURB1520
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520TRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520TRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820TRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820TRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel