casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UGB8JT-E3/45
codice articolo del costruttore | UGB8JT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-UGB8JT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB8JT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB8JT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGB8JT-E3/45-FT |
MBRB7H60-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H60HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520TRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520TRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820TRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820TRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel