casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-20ETS08STRLPBF
codice articolo del costruttore | VS-20ETS08STRLPBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-20ETS08STRLPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20ETS08STRLPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETS08STRLPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-20ETS08STRLPBF-FT |
UGB8CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8GT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel