casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UGB8CTHE3/81
codice articolo del costruttore | UGB8CTHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-UGB8CTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB8CTHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB8CTHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGB8CTHE3/81-FT |
MBRB750-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB750-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB750HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB750HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB750HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB750HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H35-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H35HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation