casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UGB8GT-E3/81
codice articolo del costruttore | UGB8GT-E3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-UGB8GT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB8GT-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB8GT-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGB8GT-E3/81-FT |
MBRB760HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H35-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H35HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H45-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H45HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H60-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel