casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-20CTQ150STRL-M3
codice articolo del costruttore | VS-20CTQ150STRL-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-20CTQ150STRL-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-20CTQ150STRL-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20CTQ150STRL-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-20CTQ150STRL-M3-FT |
VBT3045C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3060G-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS05XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-3
Intel
5SGXEABN2F45I3LN
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152I
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CPG196C
Xilinx Inc.