casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VBT3080C-E3/4W
codice articolo del costruttore | VBT3080C-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VBT3080C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT3080C-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 700µA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT3080C-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT3080C-E3/4W-FT |
MBRB2090CT-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10170C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10170C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-12E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD1800A-4CS484C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation