casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VBT3060C-E3/8W
codice articolo del costruttore | VBT3060C-E3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-VBT3060C-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT3060C-E3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.2mA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT3060C-E3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT3060C-E3/8W-FT |
MBRB2090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2090CT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2090CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2090CT-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10170C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10170C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel