casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-1EFH02-M3/I
codice articolo del costruttore | VS-1EFH02-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-VS-1EFH02-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-1EFH02-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 16ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1EFH02-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-1EFH02-M3/I-FT |
S1FLB-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLK-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3F6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FL45HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM12-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel