casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V3FM12-M3/H
codice articolo del costruttore | V3FM12-M3/H |
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Numero di parte futuro | FT-V3FM12-M3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V3FM12-M3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 940mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | 220pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V3FM12-M3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V3FM12-M3/H-FT |
SE12DJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DBHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation