casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V3FM12-M3/H
codice articolo del costruttore | V3FM12-M3/H |
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Numero di parte futuro | FT-V3FM12-M3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V3FM12-M3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 940mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | 220pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V3FM12-M3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V3FM12-M3/H-FT |
SE12DJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DBHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation