casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V3F6HM3/H
codice articolo del costruttore | V3F6HM3/H |
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Numero di parte futuro | FT-V3F6HM3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V3F6HM3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 600µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 310pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V3F6HM3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V3F6HM3/H-FT |
SE12DD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DBHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
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EP1C12F324C8
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EPF6024AQC208-3
Intel