casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-15CTQ045STRR-M3
codice articolo del costruttore | VS-15CTQ045STRR-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-15CTQ045STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-15CTQ045STRR-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 7.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 7.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-15CTQ045STRR-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-15CTQ045STRR-M3-FT |
VBT1060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1060C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1060C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1545CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1545CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6002A-4AI
Microchip Technology
M2GL025T-1VFG400I
Microsemi Corporation
10CX085YU484I5G
Intel
10M08DCF256I7G
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
XC4VSX35-10FFG668C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
EP20K160EQC240-3
Intel
EPF10K10QI208-4N
Intel