casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VBT1060C-M3/4W
codice articolo del costruttore | VBT1060C-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VBT1060C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT1060C-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 700µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT1060C-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT1060C-M3/4W-FT |
MB10H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB20H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1545CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1560CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2060CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel