casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VBT1060C-E3/8W
codice articolo del costruttore | VBT1060C-E3/8W |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VBT1060C-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT1060C-E3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 700µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT1060C-E3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT1060C-E3/8W-FT |
MB10H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB20H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1545CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1560CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel