casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VBT5202-M3/4W
codice articolo del costruttore | VBT5202-M3/4W |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VBT5202-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT5202-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT5202-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT5202-M3/4W-FT |
NSB8GTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8JTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8JTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8KTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8KTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8MTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8MTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L25HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L25HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division