casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VBT3080S-M3/8W
codice articolo del costruttore | VBT3080S-M3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-VBT3080S-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBT3080S-M3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT3080S-M3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT3080S-M3/8W-FT |
NSB8ATHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8JTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8JTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8KTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel