casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-10ETS08STRRPBF
codice articolo del costruttore | VS-10ETS08STRRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-10ETS08STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETS08STRRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETS08STRRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10ETS08STRRPBF-FT |
NSB8MTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1030-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1030HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1040-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1040-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1040HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1040HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L25HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L25HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L30-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel