casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NSB8MTHE3/81
codice articolo del costruttore | NSB8MTHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-NSB8MTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSB8MTHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8MTHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSB8MTHE3/81-FT |
MBRB1045HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045TRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045TRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1050-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1050-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1050HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1050HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel