casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SBLB10L25HE3/45
codice articolo del costruttore | SBLB10L25HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-SBLB10L25HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SBLB10L25HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 25V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 460mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBLB10L25HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBLB10L25HE3/45-FT |
MBRB1050HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H35-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H35-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H35HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H45-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel