casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-10ETF04STRRPBF
codice articolo del costruttore | VS-10ETF04STRRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-10ETF04STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETF04STRRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF04STRRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10ETF04STRRPBF-FT |
NSB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8KTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
Intel