casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NSB8DTHE3/81
codice articolo del costruttore | NSB8DTHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-NSB8DTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSB8DTHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8DTHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSB8DTHE3/81-FT |
MB30H45C-61HE3J/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1035
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1035-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1035-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1035HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1035HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045-001HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel