casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NSB8ATHE3/81
codice articolo del costruttore | NSB8ATHE3/81 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NSB8ATHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSB8ATHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8ATHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSB8ATHE3/81-FT |
MB10H100HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB2045C-61HE3J/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H45C-61HE3J/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1035
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1035-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1035-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1035HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1035HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
Intel