casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-10BQ030HM3/5BT
codice articolo del costruttore | VS-10BQ030HM3/5BT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-10BQ030HM3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-10BQ030HM3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 420mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 200pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10BQ030HM3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10BQ030HM3/5BT-FT |
RS2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2G-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2G-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2J-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2J-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2J-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation