casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS2D-M3/5BT
codice articolo del costruttore | RS2D-M3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-RS2D-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS2D-M3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2D-M3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS2D-M3/5BT-FT |
SS23S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
U2D-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS140-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2D-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
USB260HM3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB420S-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2D-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel