casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS2J-M3/5BT
codice articolo del costruttore | RS2J-M3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-RS2J-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS2J-M3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2J-M3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS2J-M3/5BT-FT |
VSSB420S-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2D-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2F-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2D-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS120-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS260-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS340SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360S-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel