casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VP2110K1-G
codice articolo del costruttore | VP2110K1-G |
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Numero di parte futuro | FT-VP2110K1-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VP2110K1-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP2110K1-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VP2110K1-G-FT |
PSMN5R2-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R6-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R9-30YL,115
NXP USA Inc.
PSMN6R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R1-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R9-100YSFX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel