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codice articolo del costruttore | PSMN6R0-25YLDX |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN6R0-25YLDX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN6R0-25YLDX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 61A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.75 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 705pF @ 12V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipazione di potenza (max) | 43W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN6R0-25YLDX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN6R0-25YLDX-FT |
BUK9Y58-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y59-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y72-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R2-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R6-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R8-80E,115
NXP USA Inc.
BUK9Y8R5-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y98-80E,115
NXP USA Inc.
BUK9Y9R9-80E,115
NXP USA Inc.
PH16030L,115
NXP USA Inc.
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel