casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN5R9-30YL,115
codice articolo del costruttore | PSMN5R9-30YL,115 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PSMN5R9-30YL,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PSMN5R9-30YL,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 78A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1226pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN5R9-30YL,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN5R9-30YL,115-FT |
BUK9Y53-100B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y58-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y59-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y72-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R2-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R6-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R8-80E,115
NXP USA Inc.
BUK9Y8R5-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y98-80E,115
NXP USA Inc.
BUK9Y9R9-80E,115
NXP USA Inc.
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel