casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VP0109N3-G
codice articolo del costruttore | VP0109N3-G |
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Numero di parte futuro | FT-VP0109N3-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VP0109N3-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP0109N3-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VP0109N3-G-FT |
TPC6008-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6009-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6010-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6011(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6012(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6104(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6107(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6109-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6110(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6111(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel