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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6010-H(TE85L,FM

Name: TPC6010-H(TE85L,FM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC6010-H(TE85L,FM
Availability: InStock
Rating: 4.8 (659 reviews)

Numero parte MFG: TPC6010-H(TE85L,FM

quantità disponibile: 33760 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVI-H MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPC6010-H(TE85L,FM.pdf

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TPC6010-H(TE85L,FM specificazioni

codice articolo del costruttore	TPC6010-H(TE85L,FM
Numero di parte futuro	FT-TPC6010-H(TE85L,FM
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVI-H
TPC6010-H(TE85L,FM Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	VS-6 (2.9x2.8)
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC6010-H(TE85L,FM Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPC6010-H(TE85L,FM-FT

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