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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M)

Name: TPC6012(TE85L,F,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC6012(TE85L,F,M)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (548 reviews)

Numero parte MFG: TPC6012(TE85L,F,M)

quantità disponibile: 63390 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIV MOSFET N-CH 20V 6A VS6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPC6012(TE85L,F,M).pdf

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TPC6012(TE85L,F,M) specificazioni

codice articolo del costruttore	TPC6012(TE85L,F,M)
Numero di parte futuro	FT-TPC6012(TE85L,F,M)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
TPC6012(TE85L,F,M) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	630pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	VS-6 (2.9x2.8)
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC6012(TE85L,F,M) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPC6012(TE85L,F,M)-FT

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