casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VN4012L-G
codice articolo del costruttore | VN4012L-G |
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Numero di parte futuro | FT-VN4012L-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN4012L-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN4012L-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VN4012L-G-FT |
TPC6012(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6104(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6107(TE85L,F,M)
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TPC6109-H(TE85L,FM
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TPC6110(TE85L,F,M)
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TPC6111(TE85L,F,M)
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TPC6113(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
FDB8444TS
ON Semiconductor
BS170
ON Semiconductor
BS250P
Diodes Incorporated
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel