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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6113(TE85L,F,M)

Name: TPC6113(TE85L,F,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC6113(TE85L,F,M)
Price: 0.18228 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (443 reviews)

Numero parte MFG: TPC6113(TE85L,F,M)

quantità disponibile: 94680 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.18228

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fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVI MOSFET P-CH 20V 5A VS6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPC6113(TE85L,F,M).pdf

TPC6113(TE85L,F,M) specificazioni

codice articolo del costruttore	TPC6113(TE85L,F,M)
Numero di parte futuro	FT-TPC6113(TE85L,F,M)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVI
TPC6113(TE85L,F,M) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	690pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	VS-6 (2.9x2.8)
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC6113(TE85L,F,M) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPC6113(TE85L,F,M)-FT

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