casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VN2460N3-G
codice articolo del costruttore | VN2460N3-G |
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Numero di parte futuro | FT-VN2460N3-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN2460N3-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN2460N3-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VN2460N3-G-FT |
IRF5806TRPBF
Infineon Technologies
SI3443DVTRPBF
Infineon Technologies
SI3493DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
TPC6006-H(TE85L,F)
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TPC6008-H(TE85L,FM
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TPC6009-H(TE85L,FM
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TPC6010-H(TE85L,FM
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TPC6011(TE85L,F,M)
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TPC6012(TE85L,F,M)
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TPC6104(TE85L,F,M)
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LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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EP3SL150F780C4
Intel