casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VN2210N2
codice articolo del costruttore | VN2210N2 |
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Numero di parte futuro | FT-VN2210N2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN2210N2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN2210N2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VN2210N2-FT |
APT58M80J
Microsemi Corporation
APT19F100J
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