casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VI40100G-M3/4W
codice articolo del costruttore | VI40100G-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VI40100G-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VI40100G-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VI40100G-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VI40100G-M3/4W-FT |
V30100PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100PGW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40170PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V50100PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60170PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60200PGW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60H150PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80100PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80170PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel